| 由於 SiC (碳化矽)材料具有較高的抗酸蝕、非常好的結構強度、更高的硬度、 更快的熱傳導等特性，近幾年越來越廣範應用在工業機器的關鍵零組件上。爐管Poly 製程上碳化矽是最佳的零組件材料應用，晶圓廠陸續以碳化矽擋片(SiC Dummy wafer)取代矽晶圓(Silicon wafer)，因為有降低矽晶圓清洗次數、減少汰換頻率、提昇機台稼動率及製程改善等優點；因此，如何評估選擇碳化矽擋片已成了製程進步的熱門課題。從碳化矽擋片的材料純度、外觀、尺寸、密度、平坦度到製程結構應力變化、使用壽命及清洗消耗運作成本 ..等，都是非常重要的評估項目；鼎岳科技為此特別推薦最新SiC生成技術，CVC (Chemical vapor conversion)化學氣象轉化技術，所製作CVC SiC Dummy wafer在應用上與一般傳統碳化矽(Sintered) 及運用CVD 生成技術所製作碳化矽檔片的比較。
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